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MAX16171ATA/VY(TOKMAS)实物图
  • MAX16171ATA/VY(TOKMAS)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MAX16171ATA/VY(TOKMAS)

100V输入高端或门FET控制器,内置电荷泵栅极驱动器,响应速度快,关断时间短

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描述
输入电压:(Vin):5V~100V,反向耐压 :110V FET类型:外置FET 栅极驱动电压 :11V
商品型号
MAX16171ATA/VY(TOKMAS)
商品编号
C54582186
商品封装
DFN-8L(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

当最初施加电源时,负载电流将通过MOSFET的体二极管从源极流向漏极。一旦体二极管两端的电压超过VSD(REG),MAX16171ATA就会通过一个30μA(典型值)的电荷泵电流源开始对MOSFET栅极充电。在正向操作中,MOSFET的栅极会被充电,直到达到MAX16171ATA内部14V栅极到IN引脚齐纳二极管的钳位电压。

MAX16171ATA旨在调节MOSFET栅极到源极的电压。如果MOSFET电流减小到MOSFET两端的电压低于30mV(典型值)的VSD(REG)电压调节点,GATE引脚电压将降低,直到MOSFET两端的电压调节到20mV。如果源极到漏极的电压大于VSD(REG)电压,栅极到源极的电压将增加,并最终达到14V栅极到IN引脚齐纳钳位电平。

如果MOSFET电流反向,可能是由于输入电源故障,使得MAX16171AT的IN和OUT引脚两端的电压比-15mV(典型值)的VSD(REV)电压更负,MAX17161AT将通过一个强大的栅极到IN引脚放电晶体管迅速对MOSFET栅极放电。如果输入电源突然故障,例如电源直接短路到地,反向电流将暂时流过MOSFET,直到栅极完全放电。这种反向电流来自负载电容和并联连接的电源。MAX16171AT通常在50ns内响应电压反转条件。关闭MOSFET所需的实际时间将取决于所使用的MOSFET栅极电容所保持的电荷。有效栅极电容为47nF的MOSFET通常可以在260ns内关闭。这种快速关断时间可最大程度地减少输出端的电压干扰以及来自冗余电源的电流瞬变。

MAX16171AT的VS引脚是所有内部偏置的主电源引脚,也是内部栅极驱动电荷泵的辅助电源。对于典型的MAX16171AT应用,VS引脚可以直接连接到OUT引脚。电容值应是能对电压噪声产生可接受滤波效果的最低值。如果在IN引脚浮空或接地时为VS引脚供电,则约0.5mA的电流将从VS引脚泄漏到IC中,约2mA的电流将从OUT引脚泄漏到IC中。

OFF引脚是一个逻辑电平输入引脚,用于控制对外部MOSFET的栅极驱动。该引脚的最大工作电压为5.5V。当OFF引脚为高电平时,MOSFET关闭(与检测到的IN和OUT电压无关)。在这种模式下,负载电流将通过MOSFET的体二极管流动。如果MOSFET通过体二极管正常工作,IN引脚和OUT引脚之间的电压差约为700mV。OFF引脚有一个5μA(典型值)的内部下拉电流。如果不需要OFF功能,该引脚可以悬空或接地。

需要高可用性的系统通常使用多个并联连接的冗余电源来提高可靠性。肖特基OR-ing二极管通常用于将这些冗余电源连接到负载处的公共点。使用OR-ing二极管的缺点是正向电压降,随着负载电流的增加,这会降低可用电压并产生相关的功率损耗。使用N沟道MOSFET来代替OR-ing二极管需要稍微增加复杂度,但可以减少或消除高功率应用中电路板布局中对二极管散热器或大面积散热铜区的需求。

MAX16171AT是一个正电压(即高端)OR-ing控制器,它将驱动一个外部N沟道MOSFET来代替OR-ing二极管。MAX16171AT在IN和OUT引脚监测MOSFET源极和漏极引脚两端的电压,而GATE引脚驱动MOSFET,根据监测到的源极 - 漏极电压来控制其操作。

商品特性

  • 宽工作输入电压范围VIN:5V ~ 100V
  • 110V瞬态电压
  • 用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
  • 对电流反转的50ns快速响应
  • 2A峰值栅极关断电流
  • 超小的VDS关断电压可减少关断时间
  • 8引脚DFN2×3封装

应用领域

  • 冗余(N + 1)电源的有源OR-ing

数据手册PDF