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ISO5451QDWRQ1

高共模瞬态抗扰度2.5A和5A隔离式IGBT、MOSFET栅极驱动器，具备主动保护功能

描述: ISO5451-Q1 具有有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ISO5451QDWRQ1
商品编号: C553115
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)
	上升时间(tr)	35ns
	下降时间(tf)	37ns
	传播延迟 tpLH	110ns
	传播延迟 tpHL	110ns
	CMTI(kV/us)	50kV/us
	驱动侧工作电压	15V~30V
	功能特性	米勒钳位保护；饱和故障检测

商品概述

ISO5451-Q1是一款用于IGBT和MOSFET的5.7kV RMS增强型隔离栅极驱动器，具有2.5A的拉电流能力和5A的灌电流能力，输入端由3V至5.5V的单电源供电运行，输出端允许的电源范围为15V至30V，两个互补CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态，76ns的短暂传播时间可实现对输出级的精确控制。内置去饱和故障检测功能，可识别IGBT的过载状态，检测到故障时会立即将IGBT关断，发生故障时会发送故障信号，故障输出状态可通过RST引脚复位。当关断IGBT时，若输出电源为单极可采用有源米勒钳位，灌入米勒电流防止IGBT在高电压瞬态条件下发生动态导通。内置欠压锁定电路，可分别监视输入端和输出端的电源，通过RDY引脚指示器件是否准备就绪，采用16引脚小外形尺寸集成电路SOIC封装，额定工作环境温度范围为-40℃至125℃。

商品特性

适用于汽车电子应用，符合AEC-Q100标准，器件温度等级1级，人体模型HBM分类等级3A，充电器件模型CDM分类等级C6
在VCM=1500V时，共模瞬态抗扰度CMTI最小值为50kV/μs，典型值为100kV/μs
具备2.5A峰值拉电流和5A峰值灌电流
传播延迟短，典型值76ns，最大值110ns
具备2A有源米勒钳位
具备输出短路钳位功能
检测到去饱和故障时通过FLT发出故障报警，可通过RST复位
带就绪RDY引脚指示的输入和输出欠压锁定UVLO
具备有源输出下拉特性，低电源或输入悬空情况下默认输出低电平
输入电源电压范围为3V~5.5V
输出驱动器电源电压范围为15V~30V
兼容CMOS输入
可抑制短于20ns的输入脉冲和瞬态噪声
可承受的浪涌隔离电压达10000VPK
符合多项安全认证标准，具备增强型隔离性能

应用领域

隔离式IGBT和MOSFET栅极驱动
混合动力汽车和电动车电源模块
工业电机控制驱动
工业电源
太阳能逆变器
感应加热

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	驱动配置	高边；低边
	隔离电压(Vrms)	5700V
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	拉电流(IOH)	2.5A
	灌电流(IOL)	5A