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PHT6NQ10T,135
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.5A
- 描述
- 采用“沟槽”技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHT6NQ10T,135
- 商品编号
- C552675
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
采用“沟槽”技术、塑封的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
-“沟槽”技术-低导通电阻-快速开关-低热阻
应用领域
-电机和继电器驱动器-直流到直流转换器