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SIR4604DP-T1-GE3-HXY
SIR4604DP-T1-GE3-HXY
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为60V，导通电阻低至8毫欧，在栅源电压达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性，适合在高频率下实现高效能量转换。
- 商品型号
- SIR4604DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262855
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
参数完善中
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