温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR662DP-T1-GE3-HXY
SIR662DP-T1-GE3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。低导通电阻有效减少导通损耗，提升整体能效，同时高电流能力支持大功率运行需求。其电气特性适用于对热管理和效率有较高要求的电源系统，如开关电源、电机控制单元及高密度功率模块等应用场景。
- 商品型号
- SIR662DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262842
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156566克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- BSC028N06LS3GATMA1-HXY
- NTMFS5C670NLT3G-HXY
- SIR186DP-T1-RE3-HXY
- SIR184LDP-T1-RE3-HXY
- DMT6004LPS-13-HXY
- NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY
- SIR182DP-T1-RE3-HXY
- NVMFS5C670NLWFAFT1G-HXY
- CSD18531Q5AT-HXY
- DMT67M8LPSW-13-HXY
- SIR4602LDP-T1-RE3-HXY
- SIR182LDP-T1-RE3-HXY
- SIR4604DP-T1-GE3-HXY
- DMTH6005LPS-13-HXY
- DMTH6005LPSQ-13-HXY
- NVMFS5C645NWFT1G-HXY
- NVMFS5C670NLT1G-HXY
- NTMFS5C645NT1G-HXY
- RS1L180GNTB-HXY
- DMT6005LPSW-13-HXY
- DMTH6005LPSW-13-HXY