SIR662DP-T1-GE3-HXY

SIR662DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。低导通电阻有效减少导通损耗，提升整体能效，同时高电流能力支持大功率运行需求。其电气特性适用于对热管理和效率有较高要求的电源系统，如开关电源、电机控制单元及高密度功率模块等应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR662DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262842

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.156566克(g)