DMT6004LPS-13-HXY

DMT6004LPS-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。低导通电阻有效减少了导通状态下的功率损耗，配合高电流能力，适用于对能效和热管理要求严苛的电源系统。其电气特性支持高效能量转换，在开关电源、电机控制及高密度功率模块等应用中可实现稳定可靠的性能表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT6004LPS-13-HXY

商品编号

C53262847

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)