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DMT6004LPS-13-HXY
N-SGT增强型模式MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。低导通电阻有效减少了导通状态下的功率损耗，配合高电流能力，适用于对能效和热管理要求严苛的电源系统。其电气特性支持高效能量转换，在开关电源、电机控制及高密度功率模块等应用中可实现稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- DMT6004LPS-13-HXY
- 商品编号
- C53262847
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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