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SIR4602LDP-T1-RE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为60V，导通电阻为8毫欧，栅源电压额定值为20V。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景，尤其在需要兼顾功耗与空间布局的电子系统中表现稳定可靠。
- 商品型号
- SIR4602LDP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C53262853
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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