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NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、8毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合在中等功率应用中提供了良好的导通效率与驱动兼容性，适用于对体积和热性能有一定要求的电源转换系统。器件可在高频开关条件下保持较低的损耗，适合用于开关电源、电机驱动及便携式高功率设备中的功率管理模块。
- 商品型号
- NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY
- 商品编号
- C53262848
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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