NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY

NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、8毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合在中等功率应用中提供了良好的导通效率与驱动兼容性，适用于对体积和热性能有一定要求的电源转换系统。器件可在高频开关条件下保持较低的损耗，适合用于开关电源、电机驱动及便携式高功率设备中的功率管理模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY

商品编号

C53262848

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.166克(g)