SIR182DP-T1-RE3-HXY

SIR182DP-T1-RE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID），导通状态下漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4mΩ，显著降低导通损耗。器件支持高电流密度运行，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及大功率电子开关等场合，能够在高频操作中维持稳定的电气特性与较低的温升。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR182DP-T1-RE3-HXY

商品编号

C53262849

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.1395克(g)