CSD18531Q5AT-HXY

CSD18531Q5AT-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。其极低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流、高频率的开关电路，如电源转换系统、电机驱动模块及大功率电子负载等场景，在持续大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CSD18531Q5AT-HXY

商品编号

C53262851

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.135克(g)