SIR186DP-T1-RE3-HXY

SIR186DP-T1-RE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧，适用于对导通损耗和热效率要求严苛的高电流开关应用。其极低的导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，在电源转换、大电流负载控制及高频开关电路中可提供稳定可靠的性能表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR186DP-T1-RE3-HXY

商品编号

C53262845

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.141414克(g)