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SIR186DP-T1-RE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧，适用于对导通损耗和热效率要求严苛的高电流开关应用。其极低的导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，在电源转换、大电流负载控制及高频开关电路中可提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- SIR186DP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C53262845
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.673nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 773pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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