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SIR184LDP-T1-RE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。器件结构支持快速开关操作，在电源管理、电机驱动及高频变换器等应用中可有效降低系统功耗并提升整体响应速度。
- 商品型号
- SIR184LDP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C53262846
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.673nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 773pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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