温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS5C670NLT3G-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，同时支持较高的电流密度。适用于高效率电源转换、电机驱动、不间断电源及各类中高功率电子设备中的开关应用，在高频操作下仍能保持良好的热性能和稳定性。
- 商品型号
- NTMFS5C670NLT3G-HXY
- 商品编号
- C53262844
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- SIR186DP-T1-RE3-HXY
- SIR184LDP-T1-RE3-HXY
- DMT6004LPS-13-HXY
- NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY
- SIR182DP-T1-RE3-HXY
- NVMFS5C670NLWFAFT1G-HXY
- CSD18531Q5AT-HXY
- DMT67M8LPSW-13-HXY
- SIR4602LDP-T1-RE3-HXY
- SIR182LDP-T1-RE3-HXY
- SIR4604DP-T1-GE3-HXY
- DMTH6005LPS-13-HXY
- DMTH6005LPSQ-13-HXY
- NVMFS5C645NWFT1G-HXY
- NVMFS5C670NLT1G-HXY
- NTMFS5C645NT1G-HXY
- RS1L180GNTB-HXY
- DMT6005LPSW-13-HXY
- DMTH6005LPSW-13-HXY
- DMTH62M8SPS-13-HXY
- NVMFS5C670NLAFT3G-HXY