NTMFS5C670NLT3G-HXY

NTMFS5C670NLT3G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，同时支持较高的电流密度。适用于高效率电源转换、电机驱动、不间断电源及各类中高功率电子设备中的开关应用，在高频操作下仍能保持良好的热性能和稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS5C670NLT3G-HXY

商品编号

C53262844

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.126克(g)