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NTMFS5C670NLT3G-HXY
NTMFS5C670NLT3G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，同时支持较高的电流密度。适用于高效率电源转换、电机驱动、不间断电源及各类中高功率电子设备中的开关应用，在高频操作下仍能保持良好的热性能和稳定性。
- 商品型号
- NTMFS5C670NLT3G-HXY
- 商品编号
- C53262844
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
参数完善中
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