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IPP60R299CPXKSA1-HXY
IPP60R299CPXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数适配多种拓扑结构，可有效提升整体系统性能与可靠性。
- 商品型号
- IPP60R299CPXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133907
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.34克(g)
商品参数
参数完善中
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