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SQW33N65EF-GE3-HXY
SQW33N65EF-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的优势，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及对热性能要求较高的电力电子应用。其电气参数支持在宽驱动电压范围内稳定运行，有助于简化驱动电路设计并提升系统可靠性。
- 商品型号
- SQW33N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133914
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.29克(g)
商品参数
参数完善中
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