IPP65R280C6XKSA1-HXY

IPP65R280C6XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃条件下可支持9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V（VGS），适用于多种驱动电路配置。器件基于碳化硅材料，具备快速开关能力与较低的导通损耗，在高频率、高效率要求的电源转换和功率管理应用中表现良好。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R280C6XKSA1-HXY

商品编号

C53133906

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.21克(g)