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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 164A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 针对逻辑电平驱动进行优化
- 改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征电容和雪崩安全工作区
- 增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
- 符合 RoHS 标准、无卤素
应用领域
- 有刷电机驱动应用
- 无刷直流电机驱动应用
- 电池供电电路
- 半桥和全桥拓扑
- 同步整流器应用
- 谐振模式电源
- 或门和冗余电源开关
- DC/DC 和 AC/DC 转换器
- DC/AC 逆变器