IRL60S216
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 针对逻辑电平驱动进行优化
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 对电容和雪崩安全工作区（SOA）进行了全面表征
- 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅*
- 符合 RoHS 标准，无卤素
应用领域
- 有刷电机驱动应用
- 无刷直流（BLDC）电机驱动应用
- 电池供电电路
- 半桥和全桥拓扑
- 同步整流器应用
- 谐振模式电源
- 或门和冗余电源开关
- DC/DC 和 AC/DC 转换器
- DC/AC 逆变器