商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
-针对逻辑电平驱动进行优化-改善栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性-全面表征电容和雪崩安全工作区-增强体二极管的 dv/dt 和 dI/dt 能力-无铅-符合 RoHS 标准、无卤
应用领域
-有刷电机驱动应用-无刷直流电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC 和 AC/DC 转换器-DC/AC 逆变器
