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IPL60R065C7
600V CoolMOS C7功率晶体管
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- 描述
- 是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款导通电阻RDS(on)与面积A的乘积低于10 mΩ×mm²的技术。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R065C7
- 商品编号
- C537015
- 商品封装
- VSON-4-EP(8.1x8.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.30625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。600V C7 是首款导通电阻 RDS(on)与芯片面积 A 的乘积低于 1Ω·mm²的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC 和高性能 LLC)
- 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提升至 120V/ns
- 凭借一流的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提高效率
- 一流的导通电阻 RDS(on)/封装比
- 采用寄生电感极低的 SMD 封装,便于器件控制
- 符合 JÉDEC(J-STD20 和 JESD22)工业级应用标准
- 采用 4 引脚开尔文源极概念
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的 PFC 级和 PWM 级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。