S3D08065G-HXY

S3D08065G-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性，反向恢复时间极短，开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好，可在较高工作温度下保持稳定。适用于高效率电源转换系统，如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积，提升系统整体功率密度与能效水平。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D08065G-HXY

商品编号

C52194982

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.768克(g)