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IDH10G65C5XKSA2-HXY

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描述: 该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.38V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的开关性能，反向恢复时间短，可有效减少高频工作下的能量损耗。适用于高效率电源转换设计，如服务器电源、数据中心供电单元、光伏微逆系统以及对热稳定性与空间利用率要求较高的紧凑型电力电子设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IDH10G65C5XKSA2-HXY
商品编号: C52195004
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.256克(g)

商品参数