VS3C08ET07T-M3-HXY

碳化硅肖特基二极管，具有零反向恢复电流、高频操作和温度无关的开关行为

描述

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.38V，在高频开关条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置，适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS3C08ET07T-M3-HXY

商品编号

C52195023

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.18克(g)