S3D20065H-HXY

碳化硅肖特基二极管，设计用于高频应用，提供低导通损耗、低开关损耗和高可靠性。

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节，可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D20065H-HXY

商品编号

C52195016

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

8.32克(g)