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IDK08G65C5XTMA2-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。该器件适用于需要高效能功率转换的场合，可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中，有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担，是现代高功率密度电子设备中的关键元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IDK08G65C5XTMA2-HXY
商品编号: C52195010
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.94克(g)

商品参数