E3D08065G-TR-HXY

E3D08065G-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景，可有效改善电路的热管理表现与整体效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

E3D08065G-TR-HXY

商品编号

C52195008

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.76克(g)