SICR10650-HXY

碳化硅肖特基二极管，具有零反向恢复电流和高频操作特性

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性，适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中，满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICR10650-HXY

商品编号

C52194985

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.148克(g)