S3D10065G-HXY

S3D10065G-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.51V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和较高的工作温度能力，适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性，是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D10065G-HXY

商品编号

C52194989

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.78克(g)