SICB0860P-HXY

SICB0860P-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.42V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICB0860P-HXY

商品编号

C52194986

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.764克(g)