SICF0860P-BP-HXY

碳化硅肖特基二极管，具有零反向恢复电流和高速开关特性

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景，如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。器件能有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效，满足严苛的电力电子设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICF0860P-BP-HXY

商品编号

C52194987

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.812克(g)