SIC1060P-BP-HXY

SIC1060P-BP-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于要求严苛的电力转换环境。典型使用场景包括高效电源模块、可再生能源逆变装置及高可靠性储能系统的整流与续流环节，是实现紧凑型高频设计的理想选择之一。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIC1060P-BP-HXY

商品编号

C52194983

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

5.17克(g)