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SIC0860P-BP-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关速度和高温工作能力，可有效降低热应力，支持高频运行。典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、服务器电源模块以及对散热设计和空间布局有较高要求的高密度电源系统，适合追求高效率与小型化的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIC0860P-BP-HXY
商品编号: C52194984
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.216克(g)

商品参数

用单极性整流器替代双极性整流器，本质上无开关损耗，实现更高效率，减少散热器需求，并联器件时无热失控风险。