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CSD17570Q5B

耐压:30V 电流:100A

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描述: CSD17570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD17570Q5B
商品编号: C529279
商品封装: SON-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

商品概述

This 30V, 0.56mΩ, SON 5mm × 6mm NexFET power MOSFET is designed to minimize the resistance in ORing and hot-swap applications and is not suitable for switching applications.

商品特性

Ultra-low resistance
Low thermal resistance
Avalanche rating
Lead-free pin plating
RoHS compliant
Halogen-free
Small Outline No-lead (SON) 5mm × 6mm plastic package

应用领域

ORing and hot-swap applications

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	0.56mΩ@10V,50A
	耗散功率(Pd)	3.2W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	93nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	13.6nF@15V
	反向传输电容(Crss)	1.14nF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.89nF