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CSD17570Q5B
耐压:30V 电流:100A
- 描述
- CSD17570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17570Q5B
- 商品编号
- C529279
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.56mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.6nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.14nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.89nF |
商品概述
这款30V，0.56mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET旨在最大限度地减小ORing和热拔插应用的电阻，不可用于开关应用。
商品特性
- 超低电阻低热阻
- 雪崩级无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准无卤素小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm塑料封装
应用领域
- ORing和热插拔应用
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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