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CSD15380F3

1个N沟道耐压:20V 电流:0.5A

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描述: CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD15380F3
商品编号: C529568
商品封装: LGA
包装方式: 编带
商品毛重: 0.068克(g)

商品参数

商品概述

这种20V、990mΩ、N 沟道FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的尺寸中使用的高侧或低侧隔离式栅极驱动器提供参考解决方案。超低电容提高了开关速度。在数据线路应用中，较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。

应用领域

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池应用
手持式和移动类应用

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	500mA
	导通电阻(RDS(on))	990mΩ@8V,0.1A
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	281pC@4.5V
	输入电容(Ciss)	10.5pF@10V
	反向传输电容(Crss)	0.17pF@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	7.7pF