CSD15380F3
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.5A
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- 描述
- CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD15380F3
- 商品编号
- C529568
- 商品封装
- LGA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 990mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 281pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.7pF |
商品概述
该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时,低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 超低 CiSS 和 COSS
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸:0.73mm x 0.64mm
- 超薄型封装:最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管:额定值 > 4kV HBM;额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 电池应用
- 手持式和移动类应用
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