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CSD17575Q3
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17575Q3
- 商品编号
- C529277
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 204pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 511pF |
商品概述
这款 1.9mΩ，30V，SON 3x3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
商品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 3.3mm×3.3mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步场效应晶体管(FET) 应用进行优化
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交88单
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