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AON6576-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 此款AON6576-MS是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计，专为高效率和小型化电子系统打造。该器件能够在30V的电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，满足大电流应用场景需求。其核心优势在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，大幅度降低了功率损耗，提高了系统能效。AON6576 广泛适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效节能的半导体应用领域。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON6576-MS
- 商品编号
- C51927948
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2292克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON6576-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用