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JNG20T65FJS1
650V 40A
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- 描述
- 特性：650V, 20A。 VCE(sat)(typ) = 1.6V @ VGE = 15V, IC = 20A。 高耐用性。 10μs短路能力。 电机控制效率高。 并联运行时均流性能出色。应用：家用电器。 电机驱动
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG20T65FJS1
- 商品编号
- C51484247
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 输出电容(Coes) | 72pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 80A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.7nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 120ns | |
| 导通损耗(Eon) | 370uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 460uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 62ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF |