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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU30D20M2

2个N沟道 耐压:30V 电流:20A

商品型号
RU30D20M2
商品编号
C521557
商品封装
PDFN3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.246克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ
耗散功率(Pd)6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)930pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 30V/20A
  • RDS(ON) = 8.5 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 11.5 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
  • 超高密度单元设计
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷
  • 100%雪崩测试
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关应用系统

数据手册PDF