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RU206B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 20V/6A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 26 mΩ（典型值）
- 低RDS(ON)
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅环保产品
- 无铅
- 符合RoHS标准
- 无卤