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BMI404D1538
N沟道+P沟道 40V 30A
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- 描述
- N+P双MOS 40V 30A TO-252-4L封装
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMI404D1538
- 商品编号
- C50338768
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V；1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V；23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.217nF；1.512nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF；125pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF；198pF |
商品概述
采用TO-252-4L封装的互补增强型MOSFET。BMI404D1538采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON),且栅极电荷低,可用于多种应用。
商品特性
- N沟道:
- VDS = 40 V, ID = 30 A
- RDS(ON)@VGS = 10V, ID = 8A,典型值 = 12mΩ
- RDS(ON)@VGS = 4.5 V, ID = 4 A,典型值 = 17 mΩ
- P沟道:
- V(BR)DSS = -40 V, ID = -18 A
- RDS(ON)@VGS = -10 V, ID = -8 A,典型值 = 28 mΩ
- RDS(ON)@VGS = -4.5 V, ID = -4 A,典型值 = 38 mΩ
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-LED照明电源