- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMF65R190
N沟道超结MOSFET，低导通损耗，快速开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 超结高压MOSFET N沟道650V 20A 190mΩ
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF65R190
- 商品编号
- C50338767
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
BMF65R190是一款采用超级结技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关耐用性,适用于开关应用。其极低的传导损耗和快速的开关速度可使应用更加高效和快速。
商品特性
- V(BR)DSS = 650 V,ID = 20 A -RDS(ON)在 VGS = 10 V 时,典型值为 160 m Ω
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 单位芯片面积的RDS(ON)低(品质因数低)
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 电视和照明