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BMF65R190

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描述: 超结高压MOSFET N沟道650V 20A 190mΩ
品牌名称: BORN(伯恩半导体)
商品型号: BMF65R190
商品编号: C50338767
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

V(BR)DSS = 650 V,ID = 20 A -RDS(ON)在 VGS = 10 V 时,典型值为 160 m Ω
100%雪崩测试
快速开关
低栅极电荷
单位芯片面积的RDS(ON)低(品质因数低)

应用领域

开关模式电源(SMPS)
电视和照明

数据手册PDF

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