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BMF65R190
BMF65R190
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- 描述
- 超结高压MOSFET N沟道650V 20A 190mΩ
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF65R190
- 商品编号
- C50338767
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BMF65R190是一款采用超级结技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关耐用性,适用于开关应用。其极低的传导损耗和快速的开关速度可使应用更加高效和快速。
商品特性
- V(BR)DSS = 650 V,ID = 20 A -RDS(ON)在 VGS = 10 V 时,典型值为 160 m Ω
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 单位芯片面积的RDS(ON)低(品质因数低)
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 电视和照明
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