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BY25FQ32ELTIG(T)引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BY25FQ32ELTIG(T)

32Mbit SPI NOR Flash

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描述
是32M位串行外设接口(SPI)闪存,支持标准串行外设接口(SPI)、双/四I/O SPI以及2时钟指令周期的四外设接口(QPI):串行时钟、片选、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2 (/WP) 和I/O3 (/HOLD)。支持高达133MHz的SPI时钟频率,使用快速读取双/四和QPI指令时,双I/O等效时钟速率可达266MHz(133MHz x 2),四I/O等效时钟速率可达532MHz(133MHz x 4)。这些传输速率可超越标准异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许以低至8个时钟的指令开销高效访问内存来读取24位地址。
品牌名称
BOYAMICRO(博雅)
商品型号
BY25FQ32ELTIG(T)
商品编号
C50172599
商品封装
SOP-8-150mil​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量32Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.65V~2V
待机电流0.4uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)250us
块擦除时间(tBE)80ms
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

BY25FQ32EL 是一款 32M 位的串行外设接口 NOR 闪存,支持标准 SPI、双路 SPI、四线 SPI 和 QPI 操作模式。该器件提供从 1.65V 至 2.0V 的宽电压工作范围,并具备低功耗特性,典型工作电流为 3mA,掉电电流低至 0.4μA。其灵活的架构包含 4KB 扇区和 32KB/64KB 块,支持页编程、扇区擦除、块擦除和整片擦除操作,并允许编程/擦除挂起和恢复。该闪存支持高达 133MHz 的快速读取时钟速率,通过双路和四线输入/输出模式可实现高达 266Mbps 和 532Mbps 的数据传输速率,并支持就地执行操作。器件提供软件和硬件写保护功能,包括三个 1024 字节的带一次性可编程锁的安全寄存器、可发现参数寄存器,以及通过写保护引脚和软件实现的全面或部分存储阵列保护。典型编程/擦除耐久性为每个扇区 10 万次,数据保持时间典型值为 20 年。提供多种工业级温度范围选项。

商品特性

  • 串行外设接口:支持标准 SPI、双路 SPI、四线 SPI 和 QPI 模式。
  • 读取操作:支持常规读取、快速读取,双路输入/输出数据传输速率高达 266Mbps,四线输入/输出数据传输速率高达 532Mbps,QPI 模式数据传输速率高达 532Mbps,支持带 8/16/32/64 字节回绕的连续读取以实现就地执行。
  • 编程操作:支持串行输入页编程,最大 256 字节,支持编程挂起和恢复。
  • 擦除操作:支持块擦除、扇区擦除和整片擦除,支持擦除挂起和恢复。
  • 编程/擦除速度:典型页编程时间 0.25ms,典型扇区擦除时间 12ms,典型块擦除时间 0.04/0.08s,典型整片擦除时间 5s。
  • 灵活架构:4KB 扇区,32KB/64KB 块。
  • 低功耗:典型工作电流 3mA,典型掉电电流 0.4μA。
  • 软件/硬件写保护:三个 1024 字节带一次性可编程锁的安全寄存器,可发现参数寄存器,通过写保护引脚启用/禁用保护,通过软件实现全部或部分存储器的写保护,支持顶部/底部、扇区/块选择。
  • 单电源电压:完整电压范围 1.65~2.0V。
  • 温度范围:商用级 (-40℃ to +85℃),工业级 (-40℃ to +85℃),工业级 (-40℃ to +105℃),工业级 (-40℃ to +125℃)。
  • 循环耐久性/数据保持:典型每个扇区可承受 10 万次编程-擦除循环,典型数据保持 20 年。

数据手册PDF