BY25FQ64ESSIG(T)
64M-bit SPI Flash内存
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- 描述
- 64M-bit Serial Peripheral Interface(SPI) Flash memory,支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI):串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率,使用快速读取双/四和 QPI 指令时,双 I/O 等效时钟速率为 266MHz (133MHz x 2),四 I/O 等效时钟速率为 532MHz (133MHzx4)。双倍传输速率 (DTR) 读取速度为 672Mbits/s。这些传输速率可以超过标准异步 8 位和 16 位并行闪存
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25FQ64ESSIG(T)
- 商品编号
- C50172601
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.258105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 9uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 160us | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- 串行外设接口
- 标准SPI:SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
- 双线SPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
- 四线SPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- QPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- DTR(双倍数据速率)读取
- 读取
- 普通读取(串行):88MHz时钟速率
- 快速读取(串行):负载30PF时133MHz时钟速率
- 双线I/O数据传输速率高达266Mbits/s
- 四线I/O数据传输速率高达532Mbits/s
- QPI数据传输速率高达532Mbits/s
- DTR四线I/O数据传输速率高达672Mbits/s
- 支持就地执行操作:支持8/16/32/64字节回绕的连续读取
- 编程
- 串行输入页编程,最大256字节
- 编程挂起与恢复
- 擦除
- 块擦除(64/32 KB)
- 扇区擦除(4 KB)
- 整片擦除
- 擦除挂起与恢复
- 编程/擦除速度
- 页编程时间:典型值0.16ms
- 扇区擦除时间:典型值25ms
- 块擦除时间:典型值0.06/0.12s
- 整片擦除时间:典型值15s
- 灵活的架构
- 4K字节扇区
- 32/64K字节块
- 低功耗
- 典型待机电流9 μA
- 典型掉电电流1 μA
- 软件/硬件写保护
- 3个1024字节安全寄存器,带一次性可编程锁定
- 可发现参数寄存器
- 通过/WP引脚启用/禁用保护
- 通过软件写保护全部或部分存储器
- 可选择顶部或底部、扇区或块
- 单电源电压
- 完整电压范围:2.7~3.6V
- 温度范围
- 工业级(-40℃至+85℃)
- 循环耐久性/数据保持力
- 任意扇区典型10万次编程-擦除循环
- 典型20年数据保持力
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- TPS42S40AQ-TSAR-S
- 80L-5400W



