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BY25D40ASOIG(R)

4Mbit SPI NOR Flash

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描述
是4M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)。双输出数据的传输速度为108Mbit/s。该设备使用2.7V至3.6V的单低压电源。此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID。
品牌名称
BOYAMICRO(博雅)
商品型号
BY25D40ASOIG(R)
商品编号
C50176324
商品封装
TSSOP-8-173mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量4Mbit
时钟频率(fc)108MHz
工作电压2.7V~3.6V
待机电流5uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)1.5ms
块擦除时间(tBE)500ms
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

BY25D40AS是一款4M位串行外设接口闪存,支持双SPI模式,包含串行时钟、片选、串行数据输入/输出引脚。双输出模式下的数据传输速率可达108Mbps。该器件采用单电源低电压供电,工作电压范围为2.7V至3.6V。此外,该器件支持JEDEC标准的制造商与器件ID。

商品特性

  • 串行外设接口
  • 标准SPI:SCLK、/CS、SI、SO、/WP
  • 双SPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP
  • 读取
  • 正常读取:55MHz时钟速率
  • 快速读取:108MHz时钟速率
  • 双路读取:108MHz时钟速率
  • 编程
  • 串行输入页编程,最多256字节
  • 擦除
  • 块擦除
  • 扇区擦除
  • 芯片擦除
  • 编程/擦除速度
  • 页编程时间:典型值0.7ms
  • 扇区擦除时间:典型值100ms
  • 块擦除时间:典型值0.3 / 0.5 s
  • 芯片擦除时间:典型值3s
  • 灵活架构
  • 4KB扇区
  • 32/64KB块
  • 低功耗
  • 最大工作电流20mA
  • 最大掉电电流5uA
  • 软件/硬件写保护
  • 通过WP引脚启用/禁用保护
  • 通过软件写保护全部或部分存储器
  • 可选择顶部或底部、扇区或块
  • 单电源电压
  • 完整电压范围:2.7 ~ 3.6 V
  • 温度范围
  • 商业级
  • 工业级
  • 循环耐久性/数据保持
  • 任何扇区典型100k次编程-擦除循环
  • 典型20年数据保持

数据手册PDF