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BY25D40ESOIG(R)
4Mbit SPI NOR Flash
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- 描述
- 是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25D40ESOIG(R)
- 商品编号
- C50176328
- 商品封装
- TSSOP-8-173mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us | |
| 块擦除时间(tBE) | 300ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
BY25D40ES 是一款 4M 位串行外设接口闪存，支持双 SPI 模式，包含串行时钟、片选、串行数据输入/输出引脚。双输出模式下的数据传输速率可达 108Mbps。该器件采用单路低压电源供电，电压范围为 2.7V~3.6V。此外，该器件支持符合 JEDEC 标准的制造商与器件识别码。
商品特性
- 串行外设接口
- 标准 SPI：SCLK、/CS、SI、SO、/WP
- 双 SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP
- 读取
- 普通读取（串行）：55MHz 时钟速率
- 快速读取（串行）：108MHz 时钟速率
- 双路读取：108MHz 时钟速率
- 编程
- 串行输入页编程，最大 256 字节
- 擦除
- 块擦除（64/32 KB）
- 扇区擦除（4 KB）
- 芯片擦除
- 编程/擦除速度
- 页编程时间：典型值 0.8ms
- 扇区擦除时间：典型值 100ms
- 块擦除时间：典型值 0.3/0.5s
- 芯片擦除时间：典型值 3s
- 灵活的架构
- 4K 字节扇区
- 32/64K 字节块
- 低功耗
- 最大工作电流 20mA
- 最大掉电电流 5uA
- 软件/硬件写保护
- 通过 WP 引脚启用/禁用保护
- 通过软件写保护全部或部分存储器
- 可选择顶部或底部、扇区或块
- 单电源电压
- 完整电压范围：2.7~3.6V
- 温度范围
- 商业级（0°C~+70°C）
- 工业级（-40°C~+85°C）
- 循环耐久性/数据保持力
- 任何扇区典型 10 万次编程-擦除循环
- 典型 20 年数据保持力
- 高级功能
- 每个器件具有 128 位识别码
- BY25Q80ESTIG(R)
- BY25Q80ESOIG(R)
- BY25Q256FSSIG(R)
- BY25Q80AWUIG(R)
- BY25Q16ESTIG(R)
- BY25Q16ESOIG(R)
- BY25Q40GVTIG(R)
- BY25Q40GWUIG(R)
- BY25Q20AWUIG(R)
- BY25Q64ESHIG(R)
- BY25D40ESMIG(R)
- BY25Q32CSHJG(R)
- BY25Q64ESTIG(R)
- BY25Q16ESMIG(R)
- BY25Q32ESWIG(R)
- BY25Q64ESCIG(R)
- 100m1+18g
- TCC0402X7R102K100ATM
- TCC0402X7R104K6R3ATM
- SB1045L
- B5819W SL