BY25Q16ESMIG(R)

16Mbit SPI NOR Flash

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描述: 16M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O SPI 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。支持高达 108MHz 的 SPI 时钟频率，使用快速读取双/四和 QPI 指令时，双 I/O 等效时钟速率可达 216MHz (108MHz x 2)，四 I/O 可达 432MHz (108MHz x 4)。这些传输速率可优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式允许以低至 8 个时钟的指令开销高效访问内存以读取 24 位地址
品牌名称: BOYAMICRO(博雅)
商品型号: BY25Q16ESMIG(R)
商品编号: C50176342
商品封装: USON-8(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	160us
	块擦除时间(tBE)	200ms
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

该器件是一款16兆位串行外设接口NOR闪存，采用先进的CMOS浮栅工艺技术制造。该器件支持标准、双路、四路串行外设接口以及四路外设接口模式，以实现简单、高效的存储器操作。其架构组织为32，768个可编程页，每页256字节，可灵活擦除为4千字节扇区、32千字节块、64千字节块或整个芯片。该器件在单电源电压2.7V~3.6V下工作，适用于商业和工业温度范围。所有器件均提供节省空间的封装。

商品特性

串行外设接口：支持标准、双路、四路串行外设接口及四路外设接口模式
读取操作：支持常规读取、快速读取；双路输入/输出数据传输速率高达216兆位/秒；四路输入/输出及四路外设接口数据传输速率高达432兆位/秒；支持就地执行操作
编程操作：支持串行输入页编程，每页最多256字节；支持编程挂起与恢复
擦除操作：支持块擦除、扇区擦除、芯片擦除；支持擦除挂起与恢复
编程/擦除速度：页编程时间典型值0.16毫秒；扇区擦除时间典型值20毫秒；块擦除时间典型值0.055/0.2秒；芯片擦除时间典型值4秒
灵活架构：扇区大小为4千字节；块大小为32/64千字节
低功耗：最大工作电流9毫安；最大掉电电流2.5微安
软件/硬件写保护：3个1024字节安全寄存器，带一次性可编程锁；具有可发现参数寄存器；可通过写保护引脚启用/禁用保护；可通过软件写保护全部或部分存储器；支持顶部或底部、扇区或块选择
单电源电压：完整电压范围2.7V~3.6V
温度范围：商业级(-40°C 至 +85°C)；工业级(-40°C 至 +85°C)；工业级(-40°C 至 +105°C)；工业级(-40°C 至 +125°C)
循环耐久性/数据保持：典型值每个扇区10万次编程-擦除循环；典型值20年数据保持

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	16Mbit
	时钟频率(fc)	108MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	2.5uA
	擦写寿命	100000次