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BY25Q80ESOIG(R)
8Mbit SPI闪存
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- 描述
- 8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该器件使用单一低电压电源，范围为 2.7V 至 3.6V。此外，该器件支持 JEDEC 标准制造商和器件 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25Q80ESOIG(R)
- 商品编号
- C50176330
- 商品封装
- TSSOP-8-173mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us | |
| 块擦除时间(tBE) | 150ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 串行外设接口
- 标准SPI：SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
- 双SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
- 四线SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- 读取
- 常规读取（串行）：108MHz时钟频率
- 快速读取（串行）：带30pF负载时120MHz时钟频率
- 双输入/输出数据传输高达240Mbits/s
- 四输入/输出数据传输高达480Mbits/s
- 支持就地执行操作：支持8/16/32/64字节回绕的连续读取
- 编程
- 串行输入页编程，高达256字节
- 编程挂起与恢复
- 擦除
- 块擦除（64/32 KB）
- 扇区擦除（4 KB）
- 整片擦除
- 擦除挂起与恢复
- 编程/擦除速度
- 页编程时间：典型值0.4ms
- 扇区擦除时间：典型值15ms
- 块擦除时间：典型值0.08/0.15s
- 整片擦除时间：典型值3s
- 灵活的架构
- 4K字节扇区
- 32/64K字节块
- 低功耗
- 最大工作电流10mA
- 最大掉电电流5uA
- 软件/硬件写保护
- 3个1024字节安全寄存器，带一次性可编程锁
- 可发现参数寄存器
- 通过/WP引脚启用/禁用保护
- 通过软件写保护全部或部分存储器
- 可选择顶部或底部、扇区或块
- 单电源电压
- 完整电压范围：2.7V ~ 3.6V
- 温度范围
- 商业级：-40℃ ~ +85℃
- 工业级：-40℃ ~ +105℃
- 工业级：-40℃ ~ +125℃
- 循环耐久性/数据保持
- 任何扇区典型10万次编程-擦除循环
- 典型20年数据保持