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BY25Q40GVTIG(R)
4兆位 SPI NOR 闪存
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- 描述
- 是4M位串行外设接口（SPI）闪存，适用于各种高容量消费类应用，可将程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构，页面擦除粒度使其也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用的内存空间，在保持相同整体设备密度的同时可添加额外的代码例程和数据存储段。使用2.3V至3.6V的单低压电源，支持JEDEC标准制造商和设备ID、128位唯一序列号和三个512字节的安全寄存器。
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25Q40GVTIG(R)
- 商品编号
- C50176335
- 商品封装
- SOP-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134737克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 85MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 0.6uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 8ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
BY25Q40GV是一款4M位串行外设接口(SPI)闪存，专为各种大批量消费类应用而设计，在这些应用中，程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该器件灵活的擦除架构及其页擦除粒度也使其成为数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。该器件的擦除块尺寸经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在其各自的擦除区域中，因此与采用大扇区和大块擦除的闪存器件相比，可以大大减少因空间浪费和未使用而造成的存储空间损失。这种提高的存储空间效率允许在保持相同总体器件密度的同时，添加额外的代码例程和数据存储段。该器件采用2.3 ~ 3.6 V的单路低压电源供电，并支持JEDEC标准制造商和器件ID、一个128位序列号以及三个512字节安全寄存器。
商品特性
- 4M位SPI NOR闪存
- 串行外设接口(SPI)
- 标准SPI：SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
- 双路SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
- 四路SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- 软件复位
- 读取
- 正常读取数据：55MHz时钟速率
- 其他读取数据：85MHz时钟速率
- 编程
- 串行输入页编程，最多256字节
- 双路输入页编程，最多256字节
- 四路输入页编程，最多256字节
- 编程挂起和恢复
- 擦除
- 页擦除(256字节)
- 块擦除(64/32 KB)
- 扇区擦除(4 KB)
- 芯片擦除
- 擦除挂起和恢复
- 编程/擦除速度
- 页编程时间：2ms典型值
- 页擦除时间：8ms典型值
- 扇区/块擦除时间：8ms典型值
- 芯片擦除时间：8ms典型值
- 灵活的架构
- 4K字节扇区
- 32/64K字节块
- 低功耗
- 3mA最大工作电流
- 0.6μA最大掉电电流
- 软件/硬件写保护
- 3个512字节安全寄存器，带OTP锁定
- 通过WP引脚启用/禁用保护
- 通过软件保护写保护全部/部分存储器
- 顶部或底部、扇区或块选择
- 单电源电压
- 完整电压范围：2.3 ~ 3.6 V
- 温度范围
- 商业级(0°C至+70°C)
- 工业级(-40℃至+85℃)
- 循环耐受性/数据保持
- 典型100k次编程-擦除循环（任意扇区）
- 典型20年数据保持