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BY25Q256FSSIG(R)
256MBIT串行接口闪存
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- 描述
- 特性：串行外围接口: -标准串行接口：SCLK, ICS, SI, SO, /WP, /HOLD。双线串行接口：SCLK, ICS, IO0, IO1, /WP, /HOLD。四线串行接口：SCLK, ICS, IO0, IO1, IO2, IO3。纯四线模式（QPI）：SCLK, ICS, IO0, IO1, IO2, IO3。支持双倍传输速率（DTR）读取。支持3或4字节寻址模式
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25Q256FSSIG(R)
- 商品编号
- C50176331
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.229747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 100MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 600us | |
| 块擦除时间(tBE) | 250ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
256M位（32M字节）串行接口闪存，支持多种串行接口模式，包括标准串行外围接口、双线串行接口、四线串行接口及纯四线模式，并支持双倍传输速率读取。提供3字节和4字节地址模式。数据读取支持单线普通读、快速读、双线读、四线读及双倍传输速率四线读，最高数据传输速率达400兆比特每秒，并支持本地执行操作。数据编程支持串行输入页编程，一次可编程1至256字节，且支持编程挂起与恢复。数据擦除功能包括区块擦除、扇区擦除和整芯片擦除，同样支持擦除挂起与恢复。存储架构灵活统一，包含4千字节扇区和32或64千字节区块。具备低功耗特性，工作电流最大25毫安，睡眠模式电流最大5微安。提供软件和硬件写保护机制，包括3个带一次编程功能的安全寄存器、串行闪存功能可查询参数表寄存器、通过/WP引脚控制的数据保护、自顶向下/自底向上/互补数据保护以及高级区块或扇区数据保护。采用单一电源供电，工作电压范围2.7V~3.6V。工作温度范围涵盖商业级0℃ 至 +70℃和工业级-40℃ 至 +85℃。擦写耐久度典型值为任意扇区10万次编程-擦除循环，数据保存年限典型值为20年。
商品特性
- 串行外围接口：支持标准、双线、四线及纯四线模式，支持双倍传输速率读取，支持3字节或4字节地址模式。
- 数据读取：单线普通读支持最大55兆赫兹时钟频率；快速读支持最大100兆赫兹时钟频率（负载电容30pF情况下）；双线读数据传输速率高达200兆比特每秒；四线读数据传输速率高达400兆比特每秒；双倍传输速率下四线读数据传输速率高达400兆比特每秒；支持本地执行操作：连续读模式支持8/16/32/64字节回绕读取。
- 数据编程：串行输入页编程，一次编程支持1到256字节；支持编程挂起和恢复。
- 数据擦除：支持区块擦除（64或32千字节）、扇区擦除（4千字节）、整芯片擦除；支持擦除挂起和恢复。
- 编程和擦除速度：页编程时间典型值0.6毫秒；扇区擦除时间典型值50毫秒；区块擦除时间典型值0.15秒（32千字节）或0.25秒（64千字节）；整芯片擦除时间典型值80秒。
- 灵活统一的存储架构：4千字节扇区；32或64千字节区块。
- 低功耗：工作电流最大25毫安；睡眠模式电流最大5微安。
- 软件和硬件写保护：3个512字节的带一次编程功能的安全寄存器；支持串行闪存功能可查询参数表寄存器；通过/WP引脚开启或禁用数据保护；支持自顶向下数据保护，自底向上数据保护，互补数据保护；支持高级区块或扇区数据保护（固定保护或密码保护）。
- 单一电源供电：工作电压范围：2.7V~3.6V。
- 工作温度范围：商业级0℃ 至 +70℃；工业级-40℃ 至 +85℃。
- 擦写耐久度和数据保存年限：任意扇区编程-擦写循环次数典型值10万次；数据保存年限典型值20年。