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BY25Q40BLUIG(R)

4M-bit SPI Flash 存储器

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描述: 是 4M 位串行外设接口（SPI）闪存，适用于各种大量基于消费的应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备产生的浪费和未使用的内存空间，在保持相同整体设备密度的同时允许添加额外的代码例程和数据存储段。使用 1.65V 至 2.0V 的单低压电源，支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、128 位唯一序列号和三个 512 字节安全寄存器。
品牌名称: BOYAMICRO(博雅)
商品型号: BY25Q40BLUIG(R)
商品编号: C50176325
商品封装: USON-8(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.042克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	2ms
	块擦除时间(tBE)	8ms
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

BY25Q40BL 是一款 4M 位串行外设接口闪存，专为各种大批量消费类应用设计，在这些应用中，程序代码从闪存加载到嵌入式或外部 RAM 中执行。该器件具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其同样非常适合数据存储，从而无需额外的数据存储设备。该器件的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在其自身的擦除区域中，因此与采用大扇区和大块擦除的闪存器件相比，可以大大减少因大扇区和大块擦除而产生的浪费和未使用的存储空间。这种提高的存储空间效率允许在保持相同总体器件密度的同时，添加额外的代码例程和数据存储段。该器件采用 1.65V 至 2.0V 的单路低电压电源供电，支持 JEDEC 标准制造商和器件 ID、一个 128 位序列号和三个 512 字节安全寄存器。

商品特性

4M 位 SPI NOR 闪存
串行外设接口
标准 SPI：SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
双 SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
四路 SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
软件复位
读取：正常读取数据时钟速率 33MHz，其他读取数据时钟速率 85MHz
编程：串行输入页编程最多 256 字节，双输入页编程最多 256 字节，四路输入页编程最多 256 字节，支持编程挂起和恢复
擦除：页擦除（256 字节），块擦除（64/32 KB），扇区擦除（4 KB），芯片擦除，支持擦除挂起和恢复
编程/擦除速度：页编程时间典型值 2ms，页擦除时间典型值 8ms，扇区/块擦除时间典型值 8ms，芯片擦除时间典型值 8ms
灵活架构：4K 字节扇区，32/64K 字节块
低功耗：最大工作电流 3mA，最大掉电电流 0.6μA
软件/硬件写保护：3 个 512 字节安全寄存器，带 OTP 锁，通过 WP 引脚启用/禁用保护，通过软件保护写保护全部或部分存储器，支持顶部或底部、扇区或块选择
单电源电压：完整电压范围 1.65V ~ 2.0V
温度范围：商业级（0°C ~ +70°C），工业级（-40°C ~ +85°C）
擦写周期/数据保持：任何扇区典型擦写周期 10 万次，典型数据保持时间 20 年

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	4Mbit
	时钟频率(fc)	85MHz
	工作电压	1.65V~2V
	待机电流	0.6uA
	擦写寿命	100000次